所以，SEM中，透鏡與放大率無關(guān)。

　　場深

　　在SEM中，位于焦平面上下的一小層區(qū)域內(nèi)的樣品點都可以得到良好的會焦而成象。這一小層的厚度稱為場深，通常為幾納米厚，所以，SEM可以用于納米級樣品的三維成像。

　　作用體積

　　電子束不僅僅與樣品表層原子發(fā)生作用，它實際上與一定厚度范圍內(nèi)的樣品原子發(fā)生作用，所以存在一個作用“體積”。

　　作用體積的厚度因信號的不同而不同：

　　歐革電子：0.5～2納米。

　　次級電子：5λ，對于導(dǎo)體，λ=1納米;對于絕緣體，λ=10納米。

　　背散射電子：10倍于次級電子。

　　特征X射線：微米級。

　　X射線連續(xù)譜：略大于特征X射線，也在微米級。

　　工作距離

　　工作距離指從物鏡到樣品*高點的垂直距離。

　　如果增加工作距離，可以在其他條件不變的情況下獲得更大的場深。

　　如果減少工作距離，則可以在其他條件不變的情況下獲得更高的分辨率。

　　通常使用的工作距離在5毫米到10毫米之間。

　　成象

　　次級電子和背散射電子可以用于成象，但后者不如前者，所以通常使用次級電子。

　　表面分析

　　歐革電子、特征X射線、背散射電子的產(chǎn)生過程均與樣品原子性質(zhì)有關(guān)，所以可以用于成分分析。但由于電子束只能穿透樣品表面很淺的一層(參見作用體積)，所以只能用于表面分析。

　　表面分析以特征X射線分析*常用，所用到的探測器有兩種：能譜分析儀與波譜分析儀。前者速度快但精度不高，后者非常**，可以檢測到“痕跡元素”的存在但耗時太長。