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變頻器維修的技術(shù)系列

變頻器維修的技術(shù)系列
 變頻器的過(guò)電流保護(hù)

  在變頻器維修中,過(guò)電流保護(hù)的對(duì)象主要指帶有突變性質(zhì)的、電流的峰值超過(guò)了變頻器的容許值的情形.

  由于逆變器的過(guò)載能力較差,所以變頻器的過(guò)電流保護(hù)是至關(guān)重要的一環(huán),迄今為止,已發(fā)展得十分完善.變頻器維修的技術(shù)系列

  一、過(guò)電流的原因

  1、工作中過(guò)電流即拖動(dòng)系統(tǒng)在工作過(guò)程中出現(xiàn)過(guò)電流.其原因大致來(lái)自以下幾方面:變頻器維修的技術(shù)系列變頻器維修的技術(shù)系列變頻器維修的技術(shù)系列變頻器維修的技術(shù)系列變頻器維修的技術(shù)系列變頻器維修的技術(shù)系列變頻器維修的技術(shù)系列

  ① 電動(dòng)機(jī)遇到?jīng)_擊負(fù)載,或傳動(dòng)機(jī)構(gòu)出現(xiàn)“卡住”現(xiàn)象,引起電動(dòng)機(jī)電流的突然增加.

  ② 變頻器的輸出側(cè)短路,如輸出端到電動(dòng)機(jī)之間的連接線發(fā)生相互短路,或電動(dòng)機(jī)內(nèi)部發(fā)生短路等.

 ?、?變頻器自身工作的不正常,如逆變橋中同一橋臂的兩個(gè)逆變器件在不斷交替的工作過(guò)程中出現(xiàn)異常。例如由于環(huán)境溫度過(guò)高,或逆變器件本身老化等原因,使逆變器件的參數(shù)發(fā)生變化,導(dǎo)致在交替過(guò)程中,濕度傳感器探頭, ,不銹鋼電熱管 PT100傳感器, ,鑄鋁加熱器,加熱圈  流體電磁閥
一個(gè)器件已經(jīng)導(dǎo)通、而另一個(gè)器件卻還未來(lái)得及關(guān)斷,引起同一個(gè)橋臂的上、下兩個(gè)器件的“直通”,使直流電壓的正、負(fù)極間處于短路狀態(tài)。

  2、升速時(shí)過(guò)電流 當(dāng)負(fù)載的慣性較大,而升速時(shí)間又設(shè)定得太短時(shí),意味著在升速過(guò)程中,變頻器的工作效率上升太快,電動(dòng)機(jī)的同步轉(zhuǎn)速迅速上升,而電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)速因負(fù)載慣性較大而跟不上去,結(jié)果是升速電流太大。

  3、降速中的過(guò)電流 當(dāng)負(fù)載的慣性較大,而降速時(shí)間設(shè)定得太短時(shí),也會(huì)引起過(guò)電流。因?yàn)?,降速時(shí)間太短,同步轉(zhuǎn)速迅速下降,而電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子因負(fù)載的慣性大,仍維持較高的轉(zhuǎn)速,這時(shí)同樣可以是轉(zhuǎn)子繞組切割磁力線的速度太大而產(chǎn)生過(guò)電流。

  二、處理方法

  1、 起動(dòng)時(shí)一升速就跳閘,這是過(guò)電流十分嚴(yán)重的現(xiàn)象,主要檢查

 ?、?工作機(jī)械有沒(méi)有卡住

 ?、?負(fù)載側(cè)有沒(méi)有短路,用兆歐表檢查對(duì)地有沒(méi)有短路

 ?、?變頻器功率模塊有沒(méi)有損壞

 ?、?電動(dòng)機(jī)的起動(dòng)轉(zhuǎn)矩過(guò)小,拖動(dòng)系統(tǒng)轉(zhuǎn)不起來(lái)

  2、 起動(dòng)時(shí)不馬上跳閘,而在運(yùn)行過(guò)程中跳閘,主要檢查

 ?、?升速時(shí)間設(shè)定太短,加長(zhǎng)加速時(shí)間

 ?、?減速時(shí)間設(shè)定太短,加長(zhǎng)減速時(shí)間

 ?、?轉(zhuǎn)矩補(bǔ)償(U/F比)設(shè)定太大,引起低頻時(shí)空載電流過(guò)大

  ④ 電子熱繼電器整定不當(dāng),動(dòng)作電流設(shè)定得太小,引起變頻器誤動(dòng)作[2]

  電壓保護(hù)

  1、 過(guò)電壓保護(hù)

  產(chǎn)生過(guò)電壓的原因及處理方法:

 ?、?電源電壓太高

  ② 降速時(shí)間太短

  ③ 降速過(guò)程中,再生制動(dòng)的放電單元工作不理想,來(lái)不及放電,請(qǐng)?jiān)黾油饨又苿?dòng)電阻和制動(dòng)單元

 ?、?請(qǐng)檢查放電回路有沒(méi)有發(fā)生故障,實(shí)際并不放電;對(duì)于小功率的變頻器很有放電電阻損壞

  2、 欠電壓保護(hù)

  產(chǎn)生欠電壓的原因及處理方法:

 ?、?電源電壓太低

  ② 電源缺相;

  ③ 整流橋故障:如果六個(gè)整流二極管中有部分因損壞而短路,整流后的電壓將下降,對(duì)于整流器件和晶閘管的損壞,應(yīng)注意檢查,及時(shí)更換。

  逆變器件的介紹:

  1.SCR和GTO晶閘管

 ?、牌胀ňчl管SCR 曾稱可控硅,它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和門極。

  SCR的工作特點(diǎn)是,當(dāng)在門極與陰極間加一個(gè)不大的正向電壓(G為+,K為—)時(shí),SCR即導(dǎo)通,負(fù)載Rl中就有電流流過(guò)。導(dǎo)通后,即使取消門極電壓,SCR仍保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)陽(yáng)極電路的電壓為0或負(fù)值時(shí),SCR才關(guān)斷。所以,只需要用一個(gè)脈沖信號(hào),就可以控制其導(dǎo)通了,故它常用于可控整流。

  作為一種無(wú)觸點(diǎn)的半導(dǎo)體開關(guān)器件,其允許反復(fù)導(dǎo)通和關(guān)斷的次數(shù)幾乎是無(wú)限的,并且導(dǎo)通的控制也十分方便。這是一般的“通-斷開關(guān)”所望塵莫及的,從而使實(shí)現(xiàn)異步電動(dòng)機(jī)的變頻調(diào)速取得了突破。但由于變頻器的逆變電路是在直流電壓下工作的,而SCR在直流電壓下又不能自行關(guān)斷,因此,要實(shí)現(xiàn)逆變,還必須增加輔助器件和相應(yīng)的電路來(lái)幫助它關(guān)斷。所以,盡管當(dāng)時(shí)的變頻調(diào)速裝置在個(gè)別領(lǐng)域(如風(fēng)機(jī)和泵類負(fù)載)已經(jīng)能夠?qū)嵱?,但未能進(jìn)入大范圍的普及應(yīng)用階段。

 ?、崎T極關(guān)斷(GTO)晶閘管 SCR在一段時(shí)間內(nèi),幾乎是能夠承受高電壓和大電流的**半導(dǎo)體器件。因此,針對(duì)SCR的缺點(diǎn),人們很自然地把努力方向引向了如何使晶閘管具有關(guān)斷能力這一點(diǎn)上,并因此而開發(fā)出了門極關(guān)斷晶閘管。

  GTO晶閘管的基本結(jié)構(gòu)和SCR類似,它的三個(gè)極也是:陽(yáng)極(A)、陰極(K)和門極(G)。其圖行符號(hào)也和SCR相似,只是在門極上加一短線,以示區(qū)別。

  GTO晶閘管的基本電路和工作特點(diǎn)是:

 ?、僭陂T極G上加正電壓或正脈沖(開關(guān)S和至位置1)GTO晶閘管即導(dǎo)通。其后,即使撤消控制信號(hào)(開關(guān)回到位置0),GTO晶閘管仍保持導(dǎo)通??梢?jiàn),GTO晶閘管的導(dǎo)通過(guò)程和SCR的導(dǎo)通過(guò)程完全相同。

 ?、谌缭贕、K間加入反向電壓或較強(qiáng)的反向脈沖(開關(guān)和至位置2),可使GTO晶閘管關(guān)斷?!∮肎TO晶閘管作為逆變器件取得了較為滿意的結(jié)果,但其關(guān)斷控制較易失敗,故仍較復(fù)雜,工作頻率也不夠高。而幾乎是與此同時(shí),大功率管(GTR)迅速發(fā)展了起來(lái),使GTO晶閘管相形見(jiàn)絀。因此,在大量的中小容量變頻器中,GTO晶閘管已基本不用。但其工作電流大,故在大容量變頻器中,仍居主要地位。

  逆變器件的介紹:上次我們向大家介紹了普通晶閘管(SCR)和門極關(guān)斷晶閘管(GTO),*重要是讓大家了解變頻器中逆變器件是如何工作的,它們起到什么作用!接下來(lái)我們講:大功率晶體管(GTR)-大功率晶體管,也叫雙極結(jié)型晶體管(BJT)。

  1、 變頻器用的GTR一般都是達(dá)林頓晶體管(復(fù)合管)模塊,其內(nèi)部有三個(gè)極分別是集電極C、發(fā)射極E和基極B。根據(jù)變頻器的工作特點(diǎn),在晶體管旁還并聯(lián)了一個(gè)反向連接的續(xù)流二極管。又根據(jù)逆變橋的特點(diǎn),常做成雙管模塊,甚至可以做成6管模塊。

  2、 工作時(shí)狀態(tài) 和普通晶體管一樣,GTR也是一種放大器件,具有三種基本的工作狀態(tài):

  ⑴放大狀態(tài) 起基本工作特點(diǎn)是集電極電流Ic的大小隨基極電流Ib而變  Ic=βIb  式中β------GTR的電流放大倍數(shù)。

  GTR處于放大狀態(tài)時(shí),其耗散功率Pc較大。設(shè)Uc=200V,Rc=10Ω,β=50,Ib=200mA(0.2A) 計(jì)算如下:Ic= βIb=50*0.2A=10A   Uce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100V   Pc=UceIc=100*10W=1000W=1KW  ⑵飽和狀態(tài) Ib增大時(shí),Ic隨之而增大的狀態(tài)要受到歐姆定律的制約。當(dāng) βIb>Uc/Rc  時(shí),Ic=βIb的關(guān)系便不能再維持了,這時(shí),GTR開始進(jìn)入“飽和"狀態(tài)。而當(dāng) Ic的大小幾乎完全由歐姆定律決定,即 Ics≈Uc/Rc  時(shí),GTR便處于深度飽和狀態(tài)(Ics 為飽和電流)。這時(shí),GTR的飽和壓降Uces約 為1-5V。

  GTR處于飽和狀態(tài)時(shí)的功耗是很小的。上例中,設(shè)Uces=2V,則  Ics=Uc/Rc=200/10A=20A   Pc=UcesIcs=2*20W=40W

  可見(jiàn),與放大狀態(tài)相比,相差甚遠(yuǎn)。

 ?、墙刂?fàn)顟B(tài) 即關(guān)斷狀態(tài)。這是基極電流Ib≤0的結(jié)果。

  在截止?fàn)顟B(tài),GTR只有很微弱的漏電流流過(guò),因此,其功耗是微不足道的。

  GTR在逆變電路中是用來(lái)作為開關(guān)器件的,工作過(guò)程中,總是在飽和狀態(tài)間進(jìn)行交替。所以,逆變用的GTR的額定功耗通常是很小的。而如上述,如果GTR處于放大狀態(tài),其功耗將增大達(dá)百北以上。所以,逆變電路中的GTR是不允許在放大狀態(tài)下小作停留的。

  3.主要參數(shù)

  ⑴在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)

 ?、贀舸╇妷篣ceo和Ucex:能使集電極C和發(fā)射極E之間擊穿的*小電壓。基極B開路是用 Uceo表示,B、E間接入反向偏壓時(shí)用Ucex 表示。在大多數(shù)情況下,這兩個(gè)數(shù)據(jù)是相等的。

  ②漏電流Iceo 和 Icex:截止?fàn)顟B(tài)下,從C極流向E極的電流。B極開路時(shí)為 Iceo,B、E間反偏時(shí)為 Icex。

 ?、圃陲柡蜖顟B(tài)時(shí)

 ?、?集電極*大電流Icm:GTR飽和導(dǎo)通是的*大允許電流。

 ?、?飽和壓降Uces:當(dāng)GTR飽和導(dǎo)通時(shí),C、E間的電壓降。

 ?、窃陂_關(guān)過(guò)程中

  ① 開通時(shí)間Ton:從B極通入正向信號(hào)電流時(shí)起,到集電極電流上升到0.9 Ics 所需要的時(shí)間。

 ?、?關(guān)斷時(shí)間Toff:從基極電流撤消時(shí)起,至Ic下降至0.1 Ics 所需的時(shí)間

  開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間將直接影響到SPWM調(diào)制是的載波頻率。通常,使用GTR做逆變管時(shí)的載波頻率底于2KHz。

  4.變頻器用GTR的選用

 ?、臮ceo 通常按電源線電壓U峰值的2倍來(lái)選擇。

  Uceo≥2廠2U在電源電壓為380V的變頻器中,應(yīng)有 Uceo≥2廠2U*380V=1074.8V,故選用 Uceo=1200V的GTR是適宜的。

  ⑵Icm 按額定電流In峰值的2倍來(lái)選擇  Icm≥2廠2 In   GTR是用電流信號(hào)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的,所需驅(qū)動(dòng)功率較大,故基極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較復(fù)雜,并使工作頻率難以提高,這是其不足之處。 今天我告訴大家的是MOSFET以及IGBT

  1、 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(POWER MOSFET) 它的3個(gè)極分別是源極S、漏極D和柵極G

  其工作特點(diǎn)是,G、S間的控制信號(hào)是電壓信號(hào)Ugs。改變Ugs的大小,主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大,故控制電流幾乎為0,所需驅(qū)動(dòng)功率很小。和GTR相比,其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)比較簡(jiǎn)單,工作頻率也比較高。此外,MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、**工作區(qū)大 等優(yōu)點(diǎn)。

  但是,功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進(jìn)展較慢,故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位。

  2、 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物,是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)(MOS結(jié)構(gòu))的晶體管,它的三個(gè)極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G。

  工作特點(diǎn)是,控制部分與場(chǎng)效應(yīng)晶體管相同,控制信號(hào)為電壓信號(hào)Uge,輸入阻抗很高,柵極電流I≈0,故驅(qū)動(dòng)功率很小。而起主電路部分則與GTR相同,工作電流為集電極電流I。

  至今,IGBT的擊穿電壓也已做到1200V,集電極*大飽和電流已超過(guò)1500A,由IGBT作為逆變器件的變頻器容量已達(dá)到250KVA以上。

  此外,其工作頻率可達(dá)20KHZ。由IGBT作為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10KHZ以上,故電動(dòng)機(jī)的電源波形比較平滑,基本無(wú)電磁噪聲。

  在新系列的中小容量變頻器中,IGBT已處于**優(yōu)勢(shì)的地位!

  市場(chǎng)出現(xiàn)智能性模塊,模塊中包含了過(guò)電流、過(guò)電壓、低電壓、過(guò)熱等保護(hù),我也相信在今后的發(fā)展中能和大家一起學(xué)習(xí),共同維護(hù)好我們的使命! $如果要正確的使用變頻器, 必須認(rèn)真地考慮散熱的問(wèn)題.  !!!變頻器的故障率隨溫度升高而成指數(shù)的上升。使用壽命隨溫度升高而成指數(shù)的下降。環(huán)境溫度升高10度,變頻器使用壽命減半。 因此,我們要重視散熱問(wèn)題啊!

  在變頻器工作時(shí),流過(guò)變頻器的電流是很大的, 變頻器產(chǎn)生的熱量也是非常大的,不能忽視其發(fā)熱所產(chǎn)生的影響

  通常,變頻器安裝在控制柜中。我們要了解一臺(tái)變頻器的發(fā)熱量大概是多少. 可以用以下公式估算:   發(fā)熱量的近似值= 變頻器容量(KW)×55 [W]

  在這里, 如果變頻器容量是以恒轉(zhuǎn)矩負(fù)載為準(zhǔn)的 (過(guò)流能力150% * 60s)

  如果變頻器帶有直流電抗器或交流電抗器, 并且也在柜子里面, 這時(shí)發(fā)熱量會(huì)更大一些。 電抗器安裝在變頻器側(cè)面或測(cè)上方比較好。

  這時(shí)可以用估算: 變頻器容量(KW)×60 [W]

  因?yàn)楦髯冾l器廠家的硬件都差不多, 所以上式可以針對(duì)各品牌的產(chǎn)品.

  注意: 如果有制動(dòng)電阻的話,因?yàn)橹苿?dòng)電阻的散熱量很大, 因此*好安裝位置*好和變頻器隔離開, 如裝在柜子上面或旁邊等。

  那么, 怎樣采能降低控制柜內(nèi)的發(fā)熱量呢?

  當(dāng)變頻器安裝在控制機(jī)柜中時(shí),要考慮變頻器發(fā)熱值的問(wèn)題。

  根據(jù)機(jī)柜內(nèi)產(chǎn)生熱量值的增加,要適當(dāng)?shù)卦黾訖C(jī)柜的尺寸。因此,要使控制機(jī)柜的尺寸盡量減小,就必須要使機(jī)柜中產(chǎn)生的熱量值盡可能地減少。

  如果在變頻器安裝時(shí),把變頻器的散熱器部分放到控制機(jī)柜的外面,將會(huì)使變頻器有70%的發(fā)熱量釋放到控制機(jī)柜的外面。由于大容量變頻器有很大的發(fā)熱量,所以對(duì)大容量變頻器更加有效。

  還可以用隔離板把本體和散熱器隔開, 使散熱器的散熱不影響到變頻器本體。這樣效果也很好?!∽⒁猓鹤冾l器散熱設(shè)計(jì)中都是以垂直安裝為基礎(chǔ)的,橫著放散熱會(huì)變差的!

  冷卻風(fēng)扇

  一般功率稍微大一點(diǎn)的變頻器, 都帶有冷卻風(fēng)扇。同時(shí),也建議在控制柜上出風(fēng)口安裝冷卻風(fēng)扇。進(jìn)風(fēng)口要加濾網(wǎng)以防止灰塵進(jìn)入控制柜。 注意控制柜和變頻器上的風(fēng)扇都是要的,不能誰(shuí)替代誰(shuí)。

  變頻器其他關(guān)于散熱的問(wèn)題

  在海拔高于1000m的地方,因?yàn)榭諝饷芏冉档停虼藨?yīng)加大柜子的冷卻風(fēng)量以改善冷卻效果。理論上變頻器也應(yīng)考慮降容,1000m每-5%。但由于實(shí)際上因?yàn)樵O(shè)計(jì)上變頻器的負(fù)載能力和散熱能力一般比實(shí)際使用的要大, 所以也要看具體應(yīng)用。 比方說(shuō)在1500m的地方,但是周期性負(fù)載,如電梯,就不必要降容。

  開關(guān)頻率:變頻器的發(fā)熱主要來(lái)自于IGBT, IGBT的發(fā)熱有集中在開和關(guān)的瞬間。 因此開關(guān)頻率高時(shí)自然變頻器的發(fā)熱量就變大了。 有的廠家宣稱降低開關(guān)頻率可以擴(kuò)容, 就是這個(gè)道理。

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